針對服務器用電源、太陽能發(fā)電用交換器、EV用

?                                       4端子的碳化硅晶體管

　ROHm開發(fā)了一款新的碳化硅金屬氧化膜半導體電場效應晶體管（MOSFET），這款產品可以將轉換損失降低同社商品的35%的損失。端子數采用了4端子的結構，同社從前商品都是3端子結構。能抑制電磁感應的影響，將SiCMOSFET的高速轉換性能提升到最大限度。

　樣品價格2100日元（不含消費稅）起，月產50萬個的體制開始量產。

　這款晶體管是服務器用電源、太陽能發(fā)電用交換器和EV充電樁等開發(fā)的。采用了芯片表面設置溝槽，側壁是形成MOSFET回路的戰(zhàn)壕構造。數據庫使用的服務器在大容量化、高性能化的同時，降低消耗電力一直是個問題。